产品名称：【48812】SK海力士宣告江苏无锡第二工厂现已竣工 方案本年5月正式投入量产
来源：BOB体育登录 发布时间：2024-07-18 12:09:11
产品介绍：
巨子SK海力士宣告，坐落江苏无锡的第二工厂（C2F）现已竣工，产出的第一批晶圆良品率也契合预期，方案本年5月正式投入量产。
SK海力士是江苏省单体出资尖端规划的外企，两边协作已逾越14年，累计出资额超105亿美元。
就在日前，SK海力士刚刚宣告将一方面进步第一代10nm级工艺（1xnm）内存芯片的产能，另一方面本年下半年开端出售根据第二代10nm级工艺（1ynm）的内存芯片。
SK海力士无锡二厂项目2016年12月宣告，2017年10月签约，2017年6月开工，2018年11月开端设备迁入，总出资达86亿美元，其间16亿美元用于建造3.3万平米的新厂房和隶属设备，70亿美元用于引进全球最先进的内存芯片出产设备。
作为现有工厂（C2）的延伸项目，新工厂建造周期2017-2026年，悉数完成后将成为全世界单体出资尖端规划、月产能最大、技能最先进的10nm等级工艺内存芯片出产基地，月产能可达18万块300毫米晶圆，年出售额可达33亿美元。
现在，SK海力士占有我国内存芯片商场大约35％的比例，无锡二厂投用后估计可升至超越45％。
下一代HBM（高带宽内存）。在这项协作中，台积电将主导根底芯片的前端工艺（FEOL）和后续布线
公司近来在首尔举行的IEEE 2024世界存储研讨会上，由先进HBM技能团队负责人Kim Kwi-wook
在根底晶圆上经过硅通孔（TSV）衔接多层DRAM，第一批HBM3E产品均选用8层堆叠，容量为24GB。
，作为全球闻名的半导体公司，近期在我国事务方面做了严重的战略调整。据相关报导，
已正式完毕了第五代高带宽存储器器（HBM3E）的开发作业，并成功经过了Nvidia长达半年的功能评价。这一里程碑的达到标志着
的设备出资为10万亿韩元（76.2亿美元），超出了商场预期。证券界开始猜测“
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